PlasmaPro 100系列刻蚀和沉积设备可安装多种衬底电极,能够在很宽的温度范围内进行工艺,具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力,该工艺模块可提供具有高度均匀,高产量和高精度的工艺。我们的设备和工艺已通过充分验证,正常运转时间可达90......
我们的设备和工艺已通过充分验证,正常运转时间可达90%以上,一旦设备安装完毕,可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广,包括但不限于: MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。它具有足够的灵活性,可用于研究和开发,通......
Ionfab 300 IBD客户选择我们的离子束沉积产品是因为它们能够生产具有高质量,致密和表面光滑的沉积薄膜。离子束技术提供了一种多样的刻蚀和沉积的方法,并可在同一设备上实现, 因而提高系统的利用率。我们的设备具有灵活的硬件选项,......
PlasmaPro 100 Estrelas 平台旨在提供深硅蚀刻(DSiE)领域的全方位的灵活性以满足微电子机械系统(MEMS)、 先进封装以及纳米技术市场的各种工艺要求。考虑到研究和生产的市场发展,PlasmaPro 100 E......
化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN—刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP—感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs—刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb—刻蚀锑化镓刻蚀GaN—刻蚀氮化镓刻蚀InSb—刻蚀锑化铟刻蚀InP/InGaAs......
品牌:牛津仪器型号:Ionfab300产地:欧洲Ionfab 300 IBE离子束刻蚀的灵活性、均匀性俱佳且应用范围广。我们的设备具有灵活的硬件选项,包括直开式、单衬底传送模式和盒式对盒式模式。系统配置与实际应用紧密协调,以确保获得速率更快......
PlasmaPro 100 ALE 的特点:准确的刻蚀深度控制;光滑的刻蚀表面低损伤工艺数字化/循环式刻蚀工艺——刻蚀相当于ALD高选择比能加工最大200mm的晶圆高深宽比(HAR)刻蚀工艺非常适于刻蚀纳米级薄层应用III-V族材......
品牌:牛津仪器型号:PlasmaPro100 ALE产地:欧洲PlasmaPro 100系列市场应用广,包括但不限于: MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。它具有足够的灵活性,可用于研究和开发,通过打造质量满足生产需求。Plas......
牛津仪器PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀我们的设备和工艺已通过充分验证,正常运转时间可达90%以上,一旦设备安装完毕,可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广,包括但不限于: MEMS和传感器、光电子、分立元器件......
PlasmaPro 100 ALE为下一代半导体器件材料刻蚀提供精确的工艺控制。PlasmaPro 100系列市场应用广,包括但不限于: MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。它具有足够的灵活性,可用于研究和开发,通过打造质量满足......