NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统概述:NANO-MASTER PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到至大可达12” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子,具......
NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统概述:NANO-MASTER PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜z大可达12” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子,具有......
NPE-4000(A)全自动PECVD等离子体化学气相沉积系统概述:NANO-MASTER PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到z大可达6” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等......
NLD-3500(M)原子层沉积系统概述:原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术,具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以......
NLD-4000(A)全自动原子层沉积系统概述:原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术,具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响......
NPE-4000(M)PECVD等离子体化学气相沉积系统概述:NANO-MASTER PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到z大可达12” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子......
NLD-3000原子层沉积系统概述:原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术,具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在AL......
NLD-4000(M)原子层沉积系统概述:原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术,具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以......
NLD-4000(ICPA)PEALD系统概述:原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术,具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足准确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响......
NPE-4000(ICPA)全自动ICPECVD等离子体化学气相沉积系统概述:NANO-MASTER ICPECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到z大可达6” 直径的基片上.该系统采用淋浴头......