NRE-4000(ICPM)ICP刻蚀机概述:是带ICP等离子源和偏压样品台的高速刻蚀系统,系统可以达到高速率、低损伤、高深宽比的刻蚀效果。可实现范围广泛的刻蚀工艺,包括刻蚀III-V化合物(如GaAs,InP,GaN,InSb)、II-V......
NRE-4000(M)反应离子刻蚀概述:NRE-4000是一款独立式RIE系统,配套有淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13"的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2"的视窗,另......
NRE-3500(A)全自动反应离子刻蚀机概述:独立式RIE反应离子刻蚀系统,淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13"的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2"的视窗,另一个空置......
NRE-3500(M)RIE反应离子刻蚀机概述:独立式RIE反应离子刻蚀系统,淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13"的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2"的视窗,另一个空置......
NDR-4000(M)DRIE深反应离子刻蚀概述:是带低温晶圆片冷却和偏压样品台的深硅刻蚀系统,带8" ICP源。系统可以配套500L/S抽速的涡轮分子泵,可以使得工艺压力达到几mTorr的水平。在低温刻蚀的技术下,系统可以达到硅......
NDR-4000(A)全自动DRIE深反应离子刻蚀概述:全自动上下载片,带低温晶圆片冷却和偏压样品台的深硅刻蚀系统,带8" ICP源。系统可以配套500L/S抽速的涡轮分子泵,可以使得工艺压力达到几mTorr的水平。在低温刻蚀的技......
NIE-3500(A)全自动IBE离子束刻蚀产品概述:该系统为全自动上下载片,并且通过计算机全自动实现工艺控制的紧凑型独立的立柜式离子束刻蚀系统,系统具有结构紧凑、功能强大、自动化程度高、模块化设计易于维护、低成本的优势。该系统所配套的所有......
NIE-4000(R)RIBE反应离子束刻蚀产品概述:如铜和金等金属不含挥发性化合物,这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下,样品表面采用厚胶作为掩模层,刻蚀期间富有能量的离子流会使得......
NIE-4000(A)全自动IBE离子束刻蚀产品概述:如铜和金等金属不含挥发性化合物,这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下,样品表面采用厚胶作为掩模层,刻蚀期间富有能量的离子流会使得......
NIE-4000(M)IBE离子束刻蚀产品概述:如铜和金等金属不含挥发性化合物,这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下,样品表面采用厚胶作为掩模层,刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和......