产品名称:锑化镓(GaSb)晶体基片产品简介:技术参数:单晶GaSb掺杂none;None, high R;Zn;Te;Te, high R导电类型P P- P......
产品名称:磷化铟(InP)晶体基片产品简介:技术参数:单晶:InP掺杂:None;Sn;S;Fe:Zn硬度:3.0莫氏硬度密度:4.78 g/cm3导电类型:N;N;N;Si;P折射率:3.45载流子浓度cm-3 &nb......
产品名称:磷化铟(InP)晶体基片产品简介:技术参数:单晶:InP掺杂:None;Sn;S;Fe:Zn硬度:3.0莫氏硬度密度:4.78 g/cm3导电类型:N;N;N;Si;P折射率:3.45载流子浓度cm-3 &nb......
产品名称:Ge晶体基片产品简介:化学符号为Ge ,主要用途有:制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。技术参数:密度:5.765 g/cm3 ;熔点:937.4 ℃;热传导性:640;掺杂......
产品名称:SOI基片(Si+SiO2+Si)常规尺寸:dia4" 镀膜层:20um Si P/B + 2umSiO2+500um Si undoped ......
产品名称:超薄Si片产品简介:化学符号为Si,主要用途有:制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。产品参数: 掺杂物质 掺B 掺P 类型 P N 电阻率Ω.c......
产品名称:Bi2Se2Te晶体产品简介:常规热电材料,是当前热电因子最大的纯相块体,机械解离可以获得优质的拓扑绝缘体材料.绝缘性好,电阻率高,迁移率好。产品参数:晶向:Hexagonal,group 166,R-3M晶格:a=4.......
高定向热解石墨 HOPG SPI-2 级产品简介:HOPG 有多晶机构,尺寸大小可变,10mm质量最高。产品规格:常规尺寸:外侧晶粒尺寸 0.5 mm ~&n......
产品名称:钪酸铽(TbScO3)晶体基片产品简介:与钙钛矿结构的超导体有很好的晶格匹配,极佳的铁电薄膜衬底材料技术参数: 晶体 结构(A) 熔点oC 密度g/cm3生长方法 &n......
产品名称:钪酸钆(GdScO3)晶体基片产品简介:与钙钛矿结构的超导体有很好的晶格匹配 ,极佳的铁电薄膜衬底材料技术参数: 晶体 结构(A)熔点oC密度g/cm3生长方法 GdScO3 正交......