产品名称:Si+SiO2+Si3N4薄膜(进口料)常规尺寸:dia 50.8±0.5 mm x 0.250 ±0.025 mm备注:可按照客户要求镀膜50-1000nm;标准包装:技术参数:......
产品名称:?InP上镀InGaAs薄膜?半绝缘 进口料(InGaAs?EPI?on?InP,Semi-insulating)常规尺寸:dia 2" InP晶向:<100>掺杂类型:掺Fe ......
产品名称:Si上镀SiO2+Ti+Pt<111>薄膜(进口料)薄膜参数:Si参数:P型,R;5-10ohm.cmSiO2参数:300nmTi参数:10nmPt <111>参数:150nmPt薄膜最大热预算:......
产品名称:DOI(低阻金刚石薄膜Diamond?on?Oxide) 产品参数: 基底尺寸: dia4"x0.5mmSi晶向:<100&......
产品名称:AL2O3+ZnO晶体(进口料ZnO?epi?film?on?Sapphire)技术参数:晶向:<0001>薄膜厚度:500A(0.5 micron)厚度公差:5%电阻率:10 to 10......
产品名称:金刚石薄膜(Diamond?on?Silicon?Wafer)技术参数:产品尺寸:dia 4"x0.5mmSi面晶向:<100>±0.5°薄膜厚度:?2um; 1um电阻率:10E3~10......
产品名称:Si片外延AlN膜产品简介:Si片外延AlN膜是通过HVPE方法生长,其实验衬底效果已日渐取代AlN单晶基片技术参数:AlN厚度:200nm ±10%, 单面镀膜正面: <2nm RM......
产品名称:钪酸钆(GdScO3)晶体基片 产品简介:与钙钛矿结构的超导体有很好的晶格匹配 ,极佳的铁电薄膜衬底材料产品规格 :<110>, 公差:+/-0.5度10x10x0......
产品名称:?Ga2O3-??单晶 技术参数:晶体结构:单斜晶体Monoclinic 晶格常数:a=12.23A, b=3.04A, c=5.80A, ?=103.7° 晶向:&nb......
产品名称:ALN单晶(进口) 技术参数:晶向:<0001>±1°尺寸:9.9x9.9x0.5±0.05mm吸收系数:Absorption coefficient< 80 cm-1Etch ......