NRE-4000（M）反应离子刻蚀概述：NRE-4000是一款独立式RIE系统，配套有淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13"的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2"的视窗,另......

NRE-4000（ICPM）ICP刻蚀机概述：是带ICP等离子源和偏压样品台的高速刻蚀系统，系统可以达到高速率、低损伤、高深宽比的刻蚀效果。可实现范围广泛的刻蚀工艺，包括刻蚀III-V化合物（如GaAs，InP，GaN，InSb）、II-V......

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准离子刻蚀 IBE上海伯东代理超高真空离子刻蚀机 IBE, 我们数十年来一直致力于超高压沉积技术, 帮客户定制设备完成特殊应用, 在客户预算内提供设备和先进的设计！&......

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准分子束外延 MBE-10上海伯东代理分子束外延设备 MBE-10 可以成长四寸～六寸的样品, 样品温度可以加到 900摄氏度, 如果是两寸以下的样品可以到 1100......

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准分子束外延 MBE-8上海伯东代理分子束外延设备 MBE-8 可以成长三寸以下的样品, 样品温度可以加到 900 摄氏度, 如果是两寸以下的样品可以到 1100 摄......

JBX-3050MV 电子束光刻系统JBX-3050MV 是用于制作45nm～32nm 节点的掩模版/中间掩模版（mask/reticle）的可变矩形电子束光刻系统。 zei先进的技术实现了高速、高精度和高可靠性。 是基于加速电压50 kV......

JBX-6300FS 电子束光刻系统JBX-6300FS的电子光学系统在100kV的加速电压下能自动调整直径为（计算值）2.1nm的电子束，简便地描画出线宽在8nm以下（实际可达5nm）的图形。 此外，该光刻系统还实现了9nm以下的场拼接精......

JBX-9500FS　电子束光刻系统JBX-9500FS是一款100kV圆形束电子束光刻系统，兼具世界zei高水平的产出量和定位精度，zei大能容纳300mmφ的晶圆片和6英寸的掩模版，适合纳米压印、光子器件、通信设备等多个领域的研发及生产......

JBX-3200MV　电子束光刻系统JBX-3200MV是用于制作28nm～22/20nm节点的掩模版/中间掩模版（mask/reticle）的可变矩形电子束光刻系统。 zei先进的技术实现了高速、高精度和高可靠性。 是基于加速电压50 k......

JBX-8100FS 圆形电子束光刻系统zei新高精密JBX-8100FS圆形电子束光刻系统，通过全方位的设计优化，实现更简便的操作，更快的刻写速度，更小的占地面积和安装空间，并且更加绿色节能。产品特点：zei新高精密JBX-8100FS圆......