PECVD, 支持定制，单片或卷对卷式PECVD。

可用于沉积类金刚石、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氮化物、硫化物等类型薄膜。

可用于聚合物薄膜沉积。

可选13.56兆赫、20kHz等离子体。

片式PECVD参数：

真空度10^-3Pa，薄膜厚度：10nm-1um，温度范围：400摄氏度，基片大小：6英寸或根据用户要求。设备尺寸：直径350mm，高500mm。

价格35~55万人民币。

卷对卷式PECVD参数：

1分钟100m，1分钟1.5微米厚，1.25m幅宽（可定制），卷厚度8um到50um，可用于食品包装，起阻水阻氧作用。

参考价格500万人民币左右。

阻水氧数据：