晶化快速退火炉 嘉仪通 半导体退火设备采用红外辐射加热技术，可实现1吋(选配2吋)样品快速升温和降温，同时搭配超高精度温度控制系统，可达到极佳的温场均匀性，对薄膜材料进行晶化快速退火处理，提高薄膜材料的均匀性及稳定性。

晶化快速退火炉产品特点：

快速加热和降温: 最高可控升温速率可达50 ℃/s，特定条件下可以达到100 ℃/s。冷壁水冷设计能够达到较大的降温速率，特定条件下可达30 ℃/s。

 精确控温: 采用工业级温控器进行PID精确控温，目标温度与设定温度曲线一致性高，可实现室温至1200 ℃的温度精确控制。

 适应多种工艺环境: 满足多种工艺气氛下的热处理（氮气、氩气等）。同时，通过选配真空泵，可以在真空条件下进行退火，最高真空度可达10^-3Pa。

 配备观察窗口: 通过观察窗口，可以实时观察热处理过程中的样品变化。同时，可以结合相关测试方法进行原位测试分析。

 超高安全系数: 采用炉壁超温报警系统和冷却水流量报警系统，全方位保障仪器使用安全。

 国产退火炉：拥有自主研发技术和制造能力，能快速反应客户售后需求。

晶化快速退火炉技术参数：

晶化快速退火炉 嘉仪通 半导体退火设备客户案例：

清华大学使用嘉仪通1吋晶化快速退火炉给HfO₂薄膜做晶化退火，得到晶相一致晶粒较小的晶体，提高薄膜材料的均匀性及稳定性。