型号：Virgo
品牌：FSM
产地：上海
Virgo系列是适用于硅基半导体及化合物半导体前后道的等离子体去胶设备，可用于光刻胶灰化/残胶去除和表面处理，该系列有两种配置分别兼容4“/6”/8“或8“/12“晶圆。Virgo系列设计紧凑占地面积小，设备稳定可靠、易于维护、产能高。
6 ”到8 ”硅基半导体生产线
• 刻蚀后光刻胶灰化；
• 残胶去除
• 高剂量离子注入后光刻胶去除
3 ”到6 ”碳化硅、氮化镓、砷化镓、磷化铟等化合物半导体生产线光刻胶灰化
• 残胶去除；
• 高剂量离子注入后光刻胶去除
• 图形下光刻胶释放
8 ”到12”晶圆级封装生产产线光刻胶残胶去除
• 有机物去除
• 晶圆表面处理
兼容晶圆尺寸为：4 ” /6 ” /8”或8 ” /12 ” ；
支持2 个开放式晶圆匣或SMIF
高精度3 轴机械手；
2种可选等离子体源:
• RPS (400KHz Toroidal远程等离子体源 )
• 电感耦合等离子体源 (13.56MHz)
高密度等离子体，去胶速率快
优异的均匀性和重复性
占地面积小
耗材成本（COC）和使用成本（COO)低
人性化的人机交互操作系统
工业计算机Windows
| 宽*深*高 | 1100W x 2000D x 2023H mm |
| 电极尺寸 | 兼容 2 ~ 8英寸 |
| 电极温度 | 50 ~ 250 ℃ |
| 射频功率 | 2kW 或 6kW 可选 |
| 气路配置 | 标配3路 / 最多可扩充至5路气体 |
| 标准配置 | 950m³/h 干泵 |
| 干泵吹扫氮气流量 | 5-25L/min |
| 干泵冷却水流量 | 2-8L/min |
| 供电要求 | 380V, 80A, 50Hz, 3-Phase, 5-Wire |
| 工艺气体接口及尺寸 | 1/4 VCR |
| 工艺气体种类及纯度 | CF4 = 99.97%; O2 = 99.996%; N2 = 99.99%; Ar = 99.999%; 其余气体请咨询JETPLASMA |
| 工艺气体压力 | 15~30 psig |
| 吹扫气体接口及尺寸 | 1/4 VCR |
| 吹扫气体种类及纯度 | N2=99.99% |
| 吹扫气体压力 | 15-30 psig |
| 气动用接口及尺寸 | 3/8英寸卡套接口 |
| 气动用气体及压力 | CDA, 60~90 psig |
| 排气口接口及尺寸 | KF40 |
| 冷却水流量 | 40L/min |
| 冷却水温度 | 15~30℃ |
| 环境温度 | 15~30℃ |
| 相对湿度 | 40~60% |
