产品简介脉冲电子束沉积（Pulsed Electron Deposition）系统具有以下特点：能够发射高能脉冲（100ns）电子束（约1000A, 15keV），在靶材上穿透将近1um，使靶材快速蒸发形成等离子体。靶材上的非平衡提取（烧灼）能够使等离子体的组成与靶材的化学计量组成一致。在最佳条件下，靶材的化学计量与沉积薄膜可以保持一致。该系统适用于所有的固态材料如金属、半导体和绝缘体等，能够使用PED技术沉积各自的薄膜。

产品特点如下：
* 独立的交钥匙脉冲电子束沉积系统PED
* 可用于外延薄膜沉积、多层异质结构和超晶格
* 氧化物薄膜沉积时兼容氧气
* 升级选项包括离子辅助PED、连续组份沉积PED和进样系统load-lock
* 可附加的沉积源有脉冲激光和射频/直流溅射
* 集成XPS/ARPES UHV集群系统和原位高真空基片传送系统

脉冲电子束沉积系统PED可以沉积的代表性材料示例如下：
* 高温超导YBCO（和GdBCO）薄膜
* 顺电Ba-SrTiO3薄膜
* 金属氧化物SrRuO3薄膜
* 隔热/音玻璃SiO2膜和Al2O3膜
* 聚四氟乙烯PTFE薄膜

技术指标如下：
* 真空腔为18"直径的球形腔体，含有8"CF窗口和3个6"CF PED源窗口
* PED源电子枪能量范围为8-20keV，脉冲能量范围为最大能量800mJ，最小能量100mJ
* 工艺气体包括氧气、氮气和氩气，脉冲能量变化范围为±10%，脉冲宽度为100ns

......

请注意，以上情况仅为展示技术指标和部分产品特点，具体详情请咨询专业人士。